PECVD系統(tǒng)具有優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的襯底附著性以及臺階覆蓋性，正由于這些優(yōu)點使其在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。適用于室溫至1200℃條件下進行Si02、SiNx薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，Sic膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合干有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
 

　　膜制備工藝在超大規(guī)模集成電路技術(shù)中有著非常廣泛的應(yīng)用，按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。等離子增強型化學(xué)氣相淀積(PECVD)是化學(xué)氣相淀積的一種，其淀積溫度低是它突出的優(yōu)點。
 

　　結(jié)構(gòu)組成：
 

　　PECVD系統(tǒng)主要由真空和壓力控制系統(tǒng)、淀積系統(tǒng)、氣體及流量控制、系統(tǒng)安全保護系統(tǒng)、計算機控制等部分組成。該技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤)產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
 

　　工藝原理：
 

　　在反應(yīng)過程中，反應(yīng)氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。