CVD是化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition）的縮寫(xiě)，指高溫下的氣相反應(yīng)，如金屬鹵化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸?、氫還原或其混合物氣體在高溫下的化學(xué)反應(yīng)，以沉淀金屬、氧化物、碳化物和其他無(wú)機(jī)材料。這項(xiàng)技術(shù)最初是作為一種涂覆手段開(kāi)發(fā)的，但目前不僅應(yīng)用于耐熱材料的涂覆，還應(yīng)用于高純度金屬的精煉、粉末合成、半導(dǎo)體膜等，這是一個(gè)頗具特色的技術(shù)領(lǐng)域。
CVD管式爐技術(shù)特點(diǎn)是：⑴可在低溫下合成高熔點(diǎn)材料；⑵沉淀物質(zhì)的形式有單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等；⑶它不僅可以涂覆在基材上，也可以涂覆在粉末表面上。特別是在低溫下，它可以合成高熔點(diǎn)的材料，為節(jié)能做出了貢獻(xiàn)。作為一項(xiàng)新技術(shù)，它具有巨大的前景。 例如，a-Al2O3和SiC可以在約1000℃下合成，并朝著較低的溫度發(fā)展。
CVD工藝可分為兩種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物在氣相中發(fā)生反應(yīng)；另一種是使加熱基材表面的原料氣體進(jìn)行熱分解。
CVD裝置由氣化部分、載氣精制部分、反應(yīng)部分和廢氣處理部分組成。目前，正在開(kāi)發(fā)用于大規(guī)模生產(chǎn)的新設(shè)備。
CVD在多組分系統(tǒng)的氣相中進(jìn)行，包括原料氣、反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物氣、載氣等。因此，當(dāng)涂覆時(shí)，在加熱的基材和流體之間的邊界上形成擴(kuò)散層。該層的存在對(duì)涂層的密度有很大影響。圖2顯示了該擴(kuò)散層的示意圖。這樣，雖然存在許多化學(xué)分子形成的擴(kuò)散層，但其沉淀過(guò)程是復(fù)雜的。在粉末合成過(guò)程中，控制核的形成和生長(zhǎng)是該過(guò)程的關(guān)鍵。
作為一種新的CVD技術(shù)，有以下幾種：
?。?） 具有流動(dòng)層的CVD；
?、屏骰?；
⑶熱解射流；
?。?） 等離子CVD；
?。?） 真空CVD等。
CVD管式爐的特點(diǎn)
沉積溫度低，膜組成易于控制，膜厚度與沉積時(shí)間成正比，均勻性、重復(fù)性和臺(tái)階覆蓋率良好。
CVD制備的必要條件
1） 在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸汽壓力，并且可以以適當(dāng)?shù)乃俣纫敕磻?yīng)室；
2） 除形成固體膜材料外，反應(yīng)產(chǎn)物必須是揮發(fā)性的；
3） 沉積的膜和基底材料必須具有足夠低的蒸汽壓。
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